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  • 128.01 K      2013-07-30 09:29 GBT 2423.27-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)ZAMD低溫低氣壓濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn)
  • 210.57 K      2013-07-30 09:29 GBT 2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)ZBM高溫低氣壓綜合試驗(yàn)
  • 201.83 K      2013-07-30 09:29 GBT 2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)ZAM低溫低氣壓綜合試驗(yàn)
  • 176.47 K      2013-07-30 09:28 GBT 2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn) 試驗(yàn)Sa模擬地面上的太陽輔射
  • 1.23 M      2013-07-30 09:26 GBT 2423.23-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 試驗(yàn)Q密封 [part1]
  • 437.29 K      2013-07-30 09:19 GBT 2423.22 2002 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)N溫度變化試驗(yàn)方法
  • 302.37 K      2013-07-30 09:19 GBT 2423.22-1987 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)N溫度變化試驗(yàn)方法
  • 106.78 K      2013-07-29 11:21 GBT 2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)M低氣壓試驗(yàn)方法
  • 140.33 K      2013-07-29 11:20 GBT 2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kd接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn)方法
  • 144.95 K      2013-07-29 11:19 GBT 2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Kc接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn)方法
  • 162.65 K      2013-07-29 11:18 GBT 2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn) 試驗(yàn)Kb鹽務(wù),交變(氯化鈉溶液)
  • 812.74 K      2013-07-29 11:17 GBT 2423.17-2008 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ka;鹽霧試驗(yàn)方法
  • 105 K      2013-07-29 11:17 GBT 2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ka;鹽霧試驗(yàn)方法
  • 530.89 K      2013-07-29 11:17 GBT 2423.16-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)J和導(dǎo)則長霉
  • 296.98 K      2013-07-29 11:16 GBT 2423.15-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則穩(wěn)態(tài)加速度
  • 444.22 K      2013-07-29 11:15 GBT 2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda 寬頻帶隨機(jī)振動-低再現(xiàn)性
  • 804.52 K      2013-07-29 11:15 GBT 2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda 寬頻帶隨機(jī)振動-中再現(xiàn)性
  • 841.65 K      2013-07-29 11:14 GBT 2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda 寬頻帶隨機(jī)振動-高再現(xiàn)性
  • 635.01 K      2013-07-29 11:13 GBT 2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fd寬頻帶隨機(jī)振動-一般要求
  • 7.89 M      2013-07-29 11:13 GBT 2423.10-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則振動(正弦)
  • 1.01 M      2013-07-29 11:12 GBT 2423.10-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc和導(dǎo)則振動(正弦)
  • 280.76 K      2013-07-29 11:11 GBT 2423.09-2001 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Cb設(shè)備用恒定濕熱試驗(yàn)方法
  • 148.53 K      2013-07-29 11:11 GBT 2423.09-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Cb設(shè)備用恒定濕熱試驗(yàn)方法
  • 301.48 K      2013-07-29 11:10 GBT 2423.08-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ed自由跌落
  • 237.15 K      2013-07-29 11:10 GBT 2423.07-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ec和導(dǎo)則傾跌與翻倒(主要用于設(shè)備型樣品)
  • 544.88 K      2013-07-29 11:09 GBT 2423.06-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Eb和導(dǎo)則碰撞
  • 892.5 K      2013-07-29 11:09 GBT 2423.05-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ea和導(dǎo)則沖擊
  • 1.36 M      2013-07-29 11:08 GBT 2423.04-2008 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Db交變濕熱試驗(yàn)方法
  • 191.65 K      2013-07-29 11:08 GBT 2423.04-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Db交變濕熱試驗(yàn)方法
  • 392.26 K      2013-07-29 11:07 GBT 2423.03 2006 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)A： 恒定濕熱試驗(yàn)方法
  • 123.8 K      2013-07-29 11:07 GBT 2423.03-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)Ca恒定濕熱試驗(yàn)方法
  • 595.71 K      2013-07-29 11:06 GBT 2423.02-2008 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)B高溫試驗(yàn)方法
  • 1.03 M      2013-07-29 11:06 GBT 2423.02-2001 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)B高溫試驗(yàn)方法
  • 744.12 K      2013-07-29 11:05 GBT 2423.02-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)B高溫試驗(yàn)方法
  • 911.85 K      2013-07-29 11:05 GBT 2423.01 2001 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗(yàn)規(guī)程 試驗(yàn)A低溫試驗(yàn)方法
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