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價(jià)格：電議
所在地：陜西 西安市
型號(hào)：長(zhǎng)禾
更新時(shí)間：2024-05-08
瀏覽次數(shù)：991
公司地址：西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號(hào)創(chuàng)新商務(wù)公寓1號(hào)樓10310室
蒲經(jīng)理(先生) 經(jīng)理
西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室(簡(jiǎn)稱長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市高新技術(shù)經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測(cè)試服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，是國(guó)家CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，屬于國(guó)家大功率器件測(cè)試服務(wù)中心。IGBT，二極管功率器件第三方檢測(cè)中心
長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室擁有尖端的系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有的測(cè)試儀器設(shè)備100余臺(tái)套，專業(yè)測(cè)試人員20余名。我們緊跟國(guó)際國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)，以客戶需求為導(dǎo)向，不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測(cè)技術(shù)，借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò)，為合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的技術(shù)服務(wù)。IGBT，二極管功率器件第三方檢測(cè)中心
長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測(cè)、可靠性檢測(cè)、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測(cè)試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國(guó)內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、軍工院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）應(yīng)用解決方案服務(wù)商。
長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營(yíng)理念，為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)、完善的解決方案及全方位的技術(shù)支持；同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流，測(cè)試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。IGBT，二極管功率器件第三方檢測(cè)中心
誠(chéng)信立世，感恩回饋，歡迎選擇長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室做您忠誠(chéng)的合作伙伴，共謀發(fā)展大計(jì)！
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檢測(cè)項(xiàng)目 |
覆蓋產(chǎn)品 |
檢測(cè)能力 |
參考標(biāo)準(zhǔn) |
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直流參數(shù) |
MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品； |
檢測(cè)最大電壓：7500V 檢測(cè)最大電流：6000A |
國(guó)標(biāo)，IEC |
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雪崩能量 |
MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 |
檢測(cè)最大電壓：2500V 檢測(cè)最大電流：200A |
美軍標(biāo) |
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柵極電阻 |
MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件 |
檢測(cè)阻抗：0.1Ω～50Ω |
JEDEC |
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開關(guān)時(shí)間 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件； |
檢測(cè)最大電壓：1200V 檢測(cè)最大電流：200A |
美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等 |
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開關(guān)時(shí)間 |
IGBT等模塊產(chǎn)品 |
檢測(cè)最大電壓：2700V 檢測(cè)最大電流：4000A |
國(guó)標(biāo)，IEC |
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反向恢復(fù) |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 |
檢測(cè)最大電壓：1200V 檢測(cè)最大電流：200A |
美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等 |
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反向恢復(fù) |
IGBT等模塊產(chǎn)品 |
檢測(cè)最大電壓：2700V 檢測(cè)最大電流：4000A |
國(guó)標(biāo)，IEC |
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柵極電荷 |
MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 |
檢測(cè)最大電壓：1200V 檢測(cè)最大電流：200A |
美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等 |
免責(zé)聲明：以上所展示的[長(zhǎng)禾 IGBT，二極管功率器件第三方檢測(cè)中心]信息由會(huì)員[西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司]自行提供，內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。
