西安智盈電氣科技有限公司成立于2019年，公司地處西安市西咸新區(qū)秦創(chuàng)園國家高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，本公司是一家集科研開發(fā)，生產(chǎn)經(jīng)營，技術(shù)服務(wù)為一體具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè)。公司技術(shù)工藝，檢測手段完善，擁有一批長期從事電力電子技術(shù)，自動控制系統(tǒng)與應(yīng)用，感應(yīng)加熱技術(shù)，微電子技術(shù)基礎(chǔ)建設(shè)等研究開發(fā)的高級工程師和技術(shù)人才，實力雄厚，多項產(chǎn)品在行業(yè)中處于地位。已通過ISO9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件研發(fā)，電力，鐵路交通，新能源汽車，石油，化工，環(huán)保電子等行業(yè)，公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品有功率半導(dǎo)體器件及組件的檢測設(shè)備及工藝設(shè)備等。公司還致力于發(fā)展系統(tǒng)工程，程序控制。新能源開發(fā)及應(yīng)用等新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，公司具有較強(qiáng)的技術(shù)開發(fā)能力，可根據(jù)用戶和市場的需求，提供技術(shù)方案，技術(shù)咨詢，專業(yè)培訓(xùn)與服務(wù)，奉行技術(shù)創(chuàng)新，誠信服務(wù)愿與國內(nèi)外同行及用戶真誠合作共同進(jìn)入高科技的新時代。

通過我們自己研發(fā)的各種產(chǎn)品，比如像半導(dǎo)體器件測試儀，加快了半導(dǎo)體各類材料、半導(dǎo)體器件和工藝的開發(fā)，完成制程控制、可靠性分析和故障分析；諸如IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，它們可以滿足對IGBT的大電流、高電壓的測試要求，是檢測半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備；還有像雪崩能量測試儀、晶閘管電參數(shù)測試儀、二極管電參數(shù)測試儀、功率模塊可靠性測試儀、模塊高溫阻斷試驗設(shè)備等產(chǎn)品，做的也是相當(dāng)?shù)某霾?，這就是我對我們的產(chǎn)品十分的有信心，這就是我們團(tuán)隊所有的力量。質(zhì)量是企業(yè)長遠(yuǎn)生存的根基，是企業(yè)競爭的免死，質(zhì)量在心中，責(zé)任在肩上，誠信在言行中，相信我們國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)，控在品質(zhì)！

多年來，公司與時俱進(jìn)，產(chǎn)品銷往全國各地，據(jù)不完全統(tǒng)計，有深圳華為技術(shù)有限公司、蘇州華為技術(shù)有限公司、深圳比亞迪股份有限公司、深圳華科智源科技有限公司、廣東慧核工業(yè)器材有限公司、安徽長飛半導(dǎo)體有限公司、天津中科方德科技有限公司、江蘇揚杰半導(dǎo)體有限公司、新飛宇電子科技有限公司、揚州國宇電子有限公司、國網(wǎng)電力科學(xué)研究院有限公司、大連東芝電力機(jī)車、清華大學(xué)、南京大學(xué)、華北電力大學(xué)等一些國有大型企業(yè)與之合作，經(jīng)過我們的不時努力和追求，也博得了眾多企業(yè)的認(rèn)可和好評。追求永不停步，創(chuàng)新永無止境，為取得長足發(fā)展，公司會以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品、前沿的技術(shù)和周到的服務(wù)來回饋用戶，為社會的科技進(jìn)步作出貢獻(xiàn)！

核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件測試設(shè)備的研制生產(chǎn)，參數(shù)測試設(shè)備：

可控硅/晶閘管（參數(shù)測試設(shè)備：

靜態(tài)參數(shù)測試；動態(tài)參數(shù)測；浪涌參數(shù)測試；老化可靠性測試（高溫阻斷）；熱阻參數(shù)測試。

MOSFET參數(shù)測試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGSS / BVR / VDS（Sat） / IDSS / VGSTH / VF / RDS（on））；動態(tài)參數(shù)（開通關(guān)斷/反向恢復(fù)/短路/安全工作區(qū)）測試（包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等）；雪崩能力測試，老化及可靠性測試（HTRB / HTGB）。
IGBT參數(shù)測試設(shè)備：
靜態(tài)參數(shù)測試（包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE /

IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)
一. 功能簡介

IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)的基本原理是在一個工頻半周內(nèi)對被測元件施加半波電流，電流的平均值由元件的額定電流值決定，而在另一個半周內(nèi)施加正向或反向的正弦半波阻斷電壓，測量它的動態(tài)阻斷伏安特性，它模擬了元件在整流電路中的工作情況。

全動態(tài)測試法是對元件的通態(tài)電流能力、阻斷電壓能力的一種綜合測試，已被國內(nèi)廣大用戶所接受。

本試驗臺可對器件的室溫特性及正向壓降等幾個參數(shù)進(jìn)行測試，試驗臺在試驗時，可根據(jù)需要對試驗時間進(jìn)行設(shè)定，試驗臺有平均漏電流顯示，并具有保護(hù)功能。
IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)

二.              技術(shù)條件：

1．適用范圍：

本電源適用于300A以下的模塊型整流二極管及模塊型晶閘管的性能考核。本實驗臺的測試方法參照原行業(yè)全動態(tài)測試方法。

2．  動態(tài)測試的技術(shù)指標(biāo)：

1） 平均電流ITAV：  低檔：約20—50A      精度±5%   分辨率1A

gaodang： 約50—300A      精度±5%    分辨率1A

指針表顯示

電流波形為近似正選半波，導(dǎo)通角170°左右

阻斷電壓波形為底寬10mS的正弦半波

電流調(diào)節(jié)：手動調(diào)壓器

2） 平均壓降：VTAV=0.1—2.5V   精度±3%   分辨率0.01 V

指針表顯示

3） 正反向不重復(fù)峰值電壓：200—3000V   精度±5%   分辨率10V

4） 正反向峰值漏電流IDRM、IRRM：0.1-20 mA

精度±3%，分辨率0.01

保護(hù)漏電流1-20 mA

峰值阻斷電壓、電流為數(shù)字表顯示

阻斷電壓為手動調(diào)節(jié)

5） 測試頻率：50HZ

6） 伏安特性具有過流保護(hù)及過流指示。

7） 電源主電路開關(guān)器件采用水冷卻，保證動態(tài)考核的準(zhǔn)確性。

8） 連接被測方式：手動連接

IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)



(浙江高鐵地鐵)